氮化镓股票有哪些？
GaN是一种直接能带隙宽带隙半导体材料，其电子迁移率是Si的3倍，电阻率高（6.9*10^-7Ω·cm），击穿电压高达125V/mm；GaN与主流器件工艺兼容度高、耐高温、抗瞬态过压能力强等特性使得它成为当前第三代半导体材料的首选，广泛应用于LED照明、射频通信、新能源汽车充电设备等领域。据Yole统计，预计至2024年GaN射频功率器件市场规模将达到8亿美元，2019-2024年CAGR达58%。
由于技术壁垒较高和前期投资规模较大，目前全球仅有少数公司能够实现GaN基功率器件的量产，其中包括Cree Inc.(美国)、Nexperia B V (荷兰)、英诺赛科、三安光电、华润微、斯达半导、海特高新、闻泰科技旗下安世集团以及士兰微旗下华虹半导体等企业。 国内方面，根据产业调研情况，目前国内已经有超过十家生产氮化镓晶圆厂商，包括三安光电、海威华芯、苏州瑞华、广东晶安堂、武汉鲲鹏、东莞天域新航、山东天岳、湖南宇辉、河北同光、河北普兴，其中部分企业已经实现了小产能出货。 在GaN材料环节，国内已有企业实现量产，如三安光电有GaN外延片产能布局，已应用于通讯基站，华润微拥有自有的第三代半导体材料研发及制造平台，同时国内还有华威电子、乾照光电、海特高新等多家公司在积极布局相关产能。在下游应用端，LED行业是主要驱动力之一，此外随着新基建加速，汽车电气化进程提速，5G建设的推进都推动了GaN市场增长。 根据产业调研情况来看，国内GaN器件产业链正处于培育期向成长期过渡的阶段。
对于上市公司而言，基于对三代半技术的布局，均具备一定竞争优势。其中，闻泰科技旗下安世集团在IDM龙头的基础上，于近年来持续投入氮化镓功率器件产业化项目，产品已进入国际巨头供应链体系中；士兰微旗下的华虹半导体也在近日推出了5纳米制程的车载IGBT芯片等产品，同时其8英寸硅基氮化镓功率器件也将在今年量产并进入市场。另外，三安光电、华福电子等均已在积极布局相关产能。